芯片散热有了新思路 我国科学家开发出介电基底修饰新技术

来源:锦南望哨网 2019-07-20 12:01:32

中共中央政治局常务委员会8月16日召开会议,听取关于吉林长春长生公司问题疫苗案件调查及有关问责情况的汇报。并且对这次重大案件的相关责任人进行了严肃问责。​

专家表示,这一技术具有高普适性,不仅可以应用于基于二硒化钨材料的晶体管器件,还可以推广到其他材料和更多器件应用中,共形六方氮化硼也具有规模化生产和应用的巨大潜力。

新华社上海3月16日电(记者吴振东)半导体芯片运算速度越来越快,但随之而来的芯片发热问题困扰着业界和学界。复旦大学科研团队新近开发出一种介电基底修饰新技术,有望解决芯片散热问题。相关研究成果在线发表于权威科学期刊《自然·通讯》。

复旦大学聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程带领团队,开发了一种共形六方氮化硼修饰技术,在最低温度300摄氏度的条件下,无需催化剂直接在二氧化硅/硅片(SiO2/Si)、石英、蓝宝石、单晶硅基底表面“生长”高质量六方氮化硼薄膜。这一带来“无缝”效果的共形修饰技术,能让芯片材料性能显著提升。

近年来,随着新疆旅游业的蓬勃发展以及对外开放步伐的不断加快,进出疆旅客人数增幅较大。2018年,全区民航客运量达3351万人次,货邮量19.18万吨,同比分别增长11.4%和2.3%,对新疆航空运输能力提出了较高要求。

研究表明,在一个芯片中,半导体材料和绝缘体材料之间,以六方氮化硼为材质的界面材料,将对其电子迁移率和散热产生至关重要的影响。传统方式是,研究人员先将其在别的“盆”里种出来,然后移栽到芯片材料上。

《纽约时报》报道说啊,早在2012年,苹果的CEO就宣布,他们要在美国本土制造Mac电脑。

2017.05北京市委副书记,市委党校校长、北京行政学院院长

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